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SI4431CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI4431CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 1978846-3
Price: 1800.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V

auf Bestellung 17500 Stücke:

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2500+	0.86 EUR
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Technische Details SI4431CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 4.2W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.

Weitere Produktangebote SI4431CDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.71 EUR bis 3.75 EUR

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SI4431CDY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 1653 Stücke:

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145+	1.24 EUR
163+	1.08 EUR
500+	0.81 EUR
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SI4431CDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

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10+	1.46 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.9 EUR
2500+	0.76 EUR

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SI4431CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V

auf Bestellung 19230 Stücke:

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11+	2 EUR
50+	1.5 EUR
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SI4431CDY-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0002474142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm

auf Bestellung 5158 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.2 EUR
119+	1.96 EUR
175+	1.23 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.82 EUR

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SI4431CDY-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm

auf Bestellung 5148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	3.75 EUR
119+	1.95 EUR
144+	1.49 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 67 Stücke

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SI4431CDY-T1-GE3

VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SI4431CDY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SI4431CDY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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SI4431CDY-T1-GE3

Siliconix

P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 TSI4431cdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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SI4431CDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 1653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
145+	1.24 EUR
163+	1.08 EUR
500+	0.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 145 Stücke

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SI4431CDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 7773 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
2+	2.89 EUR
10+	1.46 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.9 EUR
2500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SI4431CDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V

auf Bestellung 19230 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
7+	3.17 EUR
11+	2 EUR
50+	1.5 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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SI4431CDY-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm

auf Bestellung 5158 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
100+	3.2 EUR
119+	1.96 EUR
175+	1.23 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.82 EUR

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SI4431CDY-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm

auf Bestellung 5148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
67+	3.75 EUR
119+	1.95 EUR
144+	1.49 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 67 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4431CDY-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4431CDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4431CDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4431CDY-T1-GE3

Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 TSI4431cdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
30+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH