Produkte > VISHAY > SI4431CDY-T1-GE3
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3 Vishay

si4431cd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI4431CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI4431CDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.74 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.71 EUR
5000+0.68 EUR
7500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.95 EUR
154+0.91 EUR
208+0.65 EUR
250+0.62 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
92+0.79 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
92+0.79 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
117+1.24 EUR
152+0.92 EUR
154+0.87 EUR
208+0.62 EUR
250+0.59 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4431cd.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 8561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.54 EUR
10+1.19 EUR
100+0.87 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
auf Bestellung 33963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.74 EUR
16+1.15 EUR
100+0.83 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 Hersteller : Siliconix si4431cd.pdf P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 TSI4431cdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH