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SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3 Vishay

si4435ddy.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4435DDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 41090 Stücke:
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2500+0.57 EUR
7500+0.5 EUR
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1237 Stücke:
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288+0.62 EUR
315+0.55 EUR
340+0.49 EUR
354+0.45 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 288 Stücke
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY 2046729.pdf Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Siliconix info-tsi4435ddy.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4435DDY TSI4435ddy
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1949 Stücke:
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175+1.02 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.3 EUR
182+0.96 EUR
207+0.83 EUR
250+0.81 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.06 EUR
137+1.25 EUR
182+0.92 EUR
207+0.77 EUR
250+0.74 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4435ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 15813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.01 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 41356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
16+1.39 EUR
50+1.04 EUR
100+0.92 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 5963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
201+1.15 EUR
226+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 5963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
201+1.15 EUR
226+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor si4435dd.pdf P-канальний ПТ, Id = 11,4 A, Ptot, Вт = 5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 700 Од. в
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 700 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.49 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.49 EUR
7500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.49 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.49 EUR
7500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.5 EUR
7500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 41090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.57 EUR
7500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
288+0.62 EUR
315+0.55 EUR
340+0.49 EUR
354+0.45 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 288 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 2046729.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 info-tsi4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4435DDY TSI4435ddy
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
175+1.02 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
137+1.3 EUR
182+0.96 EUR
207+0.83 EUR
250+0.81 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.06 EUR
137+1.25 EUR
182+0.92 EUR
207+0.77 EUR
250+0.74 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 15813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.18 EUR
10+1.01 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 41356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.23 EUR
16+1.39 EUR
50+1.04 EUR
100+0.92 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SI4435DDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 5963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+2.7 EUR
201+1.15 EUR
226+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 5963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
201+1.15 EUR
226+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4435DDY-T1-GE3 si4435dd.pdf
Hersteller: Vishay Semiconductor
P-канальний ПТ, Id = 11,4 A, Ptot, Вт = 5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 700 Од. в
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 700 Stücke:
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