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SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3 Vishay

si4435ddy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4435DDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.44 EUR
5000+0.4 EUR
7500+0.39 EUR
12500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
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Anzahl Preis
2500+0.55 EUR
20000+0.48 EUR
30000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
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Anzahl Preis
251+0.57 EUR
298+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 251
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
223+0.64 EUR
250+0.55 EUR
251+0.53 EUR
298+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 223
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
92+0.78 EUR
211+0.34 EUR
224+0.32 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 69
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2390 Stücke:
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Anzahl Preis
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92+0.78 EUR
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 17088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.37 EUR
18+1 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4435ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.38 EUR
10+1 EUR
100+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 231 Stücke:
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2046729.pdf Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : Siliconix si4435ddy.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4435DDY TSI4435ddy
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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SI4435DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductor si4435ddy.pdf P-канальний ПТ; Id = 11,4 A; Ptot, Вт = 5; Udss, В = 30; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15; Qg, нКл = 50 @ 10 В; Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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