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SI4435DY

SI4435DY

si4435dy-d.pdf 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983
Produktcode: 45576
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ZCODE: 8541 29 00 10
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SI4435DY SI4435DY UMW 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI4435DY SI4435DY onsemi si4435dy-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY SI4435DY ON Semiconductor si4435dyd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
671+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 671 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY SI4435DY UMW 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
25+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY SI4435DY ONSEMI SI4435DY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.57 EUR
69+1.05 EUR
90+0.8 EUR
100+0.74 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY SI4435DY onsemi si4435dy-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
auf Bestellung 23705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.46 EUR
12+1.56 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY SI4435DY onsemi si4435dy-d.pdf 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 MOSFETs 30V SinGLE P-Ch
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.5 EUR
10+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY SI4435DY ONSEMI 2284382.pdf Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 7404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4435DY SI4435DY ONSEMI 2284382.pdf Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 7404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY SI4435DY ONSEMI SI4435DY-D.PDF Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf
SI4435DY
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY si4435dy-d.pdf
SI4435DY
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY si4435dyd.pdf
SI4435DY
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
671+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 671 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf
SI4435DY
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.14 EUR
25+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY SI4435DY.pdf
SI4435DY
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
69+1.05 EUR
90+0.8 EUR
100+0.74 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY si4435dy-d.pdf
SI4435DY
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
auf Bestellung 23705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.46 EUR
12+1.56 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY si4435dy-d.pdf 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983
SI4435DY
Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V SinGLE P-Ch
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.5 EUR
10+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY 2284382.pdf
SI4435DY
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 7404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY 2284382.pdf
SI4435DY
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 7404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY SI4435DY-D.PDF
SI4435DY
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH