SI4435DYTRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.47 EUR |
| 8000+ | 0.44 EUR |
| 12000+ | 0.43 EUR |
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Technische Details SI4435DYTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI4435DYTRPBF nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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SI4435DYTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DYTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DYTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DYTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 9641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DYTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V |
auf Bestellung 8806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4435DYTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V |
auf Bestellung 20514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4435DYTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DYTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DYTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4435DYTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4435DYTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
SI4435DYTRPBF SMD P channel transistors |
auf Bestellung 3905 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4435DYTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
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