Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > SI4435DYTRPBF
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF Infineon Technologies

si4435dy.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
95+1.82 EUR
169+0.99 EUR
196+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.5 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 95 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI4435DYTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SI4435DYTRPBF nach Preis ab 0.5 EUR bis 3.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Infineon Technologies si4435dy.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.82 EUR
169+1.01 EUR
196+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF INFINEON INFN-S-A0002255708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
132+1.76 EUR
250+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF INFINEON INFN-S-A0002255708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.09 EUR
132+1.76 EUR
250+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBF description si4435dy.pdf
SI4435DYTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
95+1.82 EUR
169+1.01 EUR
196+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBF description INFN-S-A0002255708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4435DYTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+3.09 EUR
132+1.76 EUR
250+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBF description INFN-S-A0002255708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4435DYTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.09 EUR
132+1.76 EUR
250+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH