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SI4435DYTRPBF Infineon Technologies

Name: SI4435DYTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 10509980-5
Price: 1720 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

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Technische Details SI4435DYTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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SI4435DYTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V

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SI4435DYTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

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910+	0.61 EUR
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Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

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168+	0.88 EUR
213+	0.67 EUR
250+	0.63 EUR
500+	0.50 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.32 EUR

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SI4435DYTRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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61+	1.17 EUR
85+	0.85 EUR
166+	0.43 EUR
175+	0.41 EUR
2000+	0.40 EUR

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SI4435DYTRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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61+	1.17 EUR
85+	0.85 EUR
166+	0.43 EUR
175+	0.41 EUR
2000+	0.40 EUR

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SI4435DYTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 8381 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
125+	1.19 EUR
164+	0.87 EUR
200+	0.79 EUR
500+	0.60 EUR
1000+	0.54 EUR
4000+	0.44 EUR
8000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 125

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SI4435DYTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

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Anzahl	Preis
120+	1.24 EUR
158+	0.91 EUR
168+	0.82 EUR
213+	0.62 EUR
250+	0.58 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.31 EUR

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SI4435DYTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFETs HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V

auf Bestellung 21 Stücke:

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Anzahl	Preis
2+	1.67 EUR
10+	1.21 EUR
25+	1.13 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR
2000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SI4435DYTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V

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10+	1.76 EUR
15+	1.20 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.56 EUR
2000+	0.51 EUR

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SI4435DYTRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0002255708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1550 Stücke:

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SI4435DYTRPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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SI4435DYTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

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SI4435DYTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

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