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SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D973D138F000D3&compId=si4435fdy.pdf?ci_sign=d351e26323940fdb9f90a1077a0912fb922686d7 Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
150+0.48 EUR
201+0.36 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 125
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Technische Details SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D973D138F000D3&compId=si4435fdy.pdf?ci_sign=d351e26323940fdb9f90a1077a0912fb922686d7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2528 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
150+0.48 EUR
201+0.36 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
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Mindestbestellmenge: 125
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SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4435fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
auf Bestellung 1218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.77 EUR
31+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix si4435fdy.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 120582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.80 EUR
10+0.63 EUR
100+0.40 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.21 EUR
5000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3006534.pdf Description: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 51130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3006534.pdf Description: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4435fdy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4435fdy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4435fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
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