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SI4435FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI4435FDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 7566600-3
Price: 700.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

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Technische Details SI4435FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SI4435FDY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4435FDY-T1-GE3

VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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133+	0.64 EUR
189+	0.45 EUR
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SI4435FDY-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0002931291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 979 Stücke:

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274+	0.84 EUR
426+	0.5 EUR
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SI4435FDY-T1-GE3

VISHAY

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SI4435FDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

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16+	1.38 EUR
25+	0.86 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.42 EUR
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SI4435FDY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 169291 Stücke:

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10+	0.87 EUR
100+	0.56 EUR
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SI4435FDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4435FDY-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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189+	0.45 EUR
219+	0.39 EUR
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1000+	0.25 EUR

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SI4435FDY-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

auf Bestellung 100033 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
16+	1.38 EUR
25+	0.86 EUR
100+	0.56 EUR
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SI4435FDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

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10+	0.87 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.43 EUR
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