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SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4447ADY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 4.2W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4447ad.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
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SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Siliconix info-tsi4447ady.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
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SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4447ad.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
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SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4447ad.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
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161+1.45 EUR
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SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 29868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.5 EUR
161+1.45 EUR
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SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
auf Bestellung 195 Stücke:
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SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.46 EUR
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SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7949 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
326+0.54 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
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SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2464 Stücke:
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300+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
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SI4447ADY-T1-GE3 info-tsi4447ady.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: Siliconix
Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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SI4447ADY-T1-GE3 info-tsi4447ady.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: Siliconix
Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
auf Bestellung 13520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.87 EUR
18+1.17 EUR
50+0.86 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.89 EUR
10+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3 VISH-S-A0002474133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 29868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.5 EUR
161+1.45 EUR
247+0.87 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3 VISH-S-A0002474133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 29868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.5 EUR
161+1.45 EUR
247+0.87 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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