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SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4447ad.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
7500+0.39 EUR
12500+0.38 EUR
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Technische Details SI4447ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote SI4447ADY-T1-GE3 nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Siliconix info-tsi4447ady.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Siliconix info-tsi4447ady.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
213+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
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Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
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SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4447ad.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 37588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Siliconix
Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
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Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
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Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
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AnzahlPrivatkunde
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1000+0.52 EUR
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SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 37588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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MSL: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 37588 Stücke:
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