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Technische Details SI4459BDY-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote SI4459BDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.7 EUR bis 2.73 EUR
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Verfügbarkeit |
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SI4459BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4459BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V |
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SI4459BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4459BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4459BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V |
auf Bestellung 17458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4459BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 16V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 90609 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4459BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4459BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 27.8 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm |
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SI4459BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4459BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 27.8 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm |
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SI4459BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4459BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R |
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| SI4459BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -27.8A; 5.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 84nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: -150A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -27.8A On-state resistance: 8.2mΩ Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| SI4459BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -27.8A; 5.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 84nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: -150A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -27.8A On-state resistance: 8.2mΩ |
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