Technische Details SI4470EYT1E3 VISHAY
N-канальный ПТ, Id = 9 A, Ptot, Вт = 1.85, Vdss В = 60, Тип монт. = smd, Rds = 11 мОм @ 12 A, 10 В, Qg,нКл = 57, Tэксп, °C = -55...+175, Vgs(th) = 10 В,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote SI4470EYT1E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| SI4470EY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 N-канальный ПТ, Id = 9 A, Ptot, Вт = 1.85, Vdss В = 60, Тип монт. = smd, Rds = 11 мОм @ 12 A, 10 В, Qg,нКл = 57, Tэксп, °C = -55...+175, Vgs(th) = 10 В,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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SI4470EY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8SO |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI4470EY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8SO |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI4470EY-T1-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4850EY-GE3 |
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| SI4470EY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
N-канальный ПТ, Id = 9 A, Ptot, Вт = 1.85, Vdss В = 60, Тип монт. = smd, Rds = 11 мОм @ 12 A, 10 В, Qg,нКл = 57, Tэксп, °C = -55...+175, Vgs(th) = 10 В,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
N-канальный ПТ, Id = 9 A, Ptot, Вт = 1.85, Vdss В = 60, Тип монт. = smd, Rds = 11 мОм @ 12 A, 10 В, Qg,нКл = 57, Tэксп, °C = -55...+175, Vgs(th) = 10 В,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
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| SI4470EY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
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| SI4470EY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
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| SI4470EY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4850EY-GE3
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