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Technische Details SI4477DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm.
Weitere Produktangebote SI4477DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.98 EUR bis 3.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI4477DY-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4477DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4477DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4477DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4477DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 6192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4477DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V |
auf Bestellung 4391 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4477DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SI4477DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI4477DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.98 EUR |
| SI4477DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.98 EUR |
| SI4477DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.01 EUR |
| SI4477DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.45 EUR |
| SI4477DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
auf Bestellung 6192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.17 EUR |
| 10+ | 1.98 EUR |
| 100+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |
| 2500+ | 1.02 EUR |
| 5000+ | 0.99 EUR |
| SI4477DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
auf Bestellung 4391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.25 EUR |
| 10+ | 2.13 EUR |
| 100+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |
| SI4477DY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI4477DY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)