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SI4477DY-T1-GE3

SI4477DY-T1-GE3 Vishay

si4477dy.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4477DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4477DY-T1-GE3 SI4477DY-T1-GE3 Vishay si4477dy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4477DY-T1-GE3 SI4477DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4477dy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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SI4477DY-T1-GE3 SI4477DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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SI4477DY-T1-GE3 SI4477DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4477dy.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
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2+3.17 EUR
10+1.98 EUR
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2500+1.02 EUR
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SI4477DY-T1-GE3 SI4477DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4477dy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
auf Bestellung 4391 Stücke:
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7+3.25 EUR
10+2.13 EUR
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SI4477DY-T1-GE3 SI4477DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
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10+1.98 EUR
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1000+1.15 EUR
2500+1.02 EUR
5000+0.99 EUR
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SI4477DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
auf Bestellung 4391 Stücke:
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7+3.25 EUR
10+2.13 EUR
100+1.55 EUR
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1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI4477DY-T1-GE3
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Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 824 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
61+4.12 EUR
93+2.51 EUR
121+1.77 EUR
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