SI4483ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.74 EUR |
| 5000+ | 0.68 EUR |
| 7500+ | 0.67 EUR |
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Technische Details SI4483ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI4483ADY-T1-GE3 nach Preis ab 0.82 EUR bis 2.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SI4483ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -15.4A Gate charge: 44.8nC On-state resistance: 8.8mΩ Power dissipation: 3.8W Gate-source voltage: ±25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1682 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4483ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -15.4A Gate charge: 44.8nC On-state resistance: 8.8mΩ Power dissipation: 3.8W Gate-source voltage: ±25V |
auf Bestellung 1682 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4483ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 32173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4483ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 5.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V |
auf Bestellung 20424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4483ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.9W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 29228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4483ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.9W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 29228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4483ADY-T1-GE3 Produktcode: 185572
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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SI4483ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4483ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4483ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R |
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