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SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3 Vishay


si4485dy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4485DY-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V.

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SI4485DY-T1-GE3 SI4485DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4485dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4485DY-T1-GE3 SI4485DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4485dy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
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SI4485DY-T1-GE3 SI4485DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4485dy.pdf MOSFETs 30V 6.0A 5.0W 42mohm @ 10V
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SI4485DY-T1-GE3 SI4485DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4485dy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
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SI4485DY-T1-GE3 SI4485DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4485dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4485DY-T1-GE3 si4485dy.pdf VISHAY SOP-8 12+
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SI4485DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4485dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6A; Idm: -25A; 5W
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4485DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4485dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6A; Idm: -25A; 5W
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
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