Technische Details SI4491EDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SI4491EDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SI4491EDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4491EDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4491EDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4491EDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V |
auf Bestellung 5100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4491EDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 5369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4491EDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.9W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4491EDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.9W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4491EDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 17,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4620 @ 15, Qg, нКл = 153, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 2,8, Р, Вт = 6,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 80 Stücke: |
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SI4491EDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4491EDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4491EDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.8A; Idm: -60A Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -60A Drain-source voltage: -30V Drain current: -25.8A Gate charge: 153nC On-state resistance: 11.2mΩ Power dissipation: 6.9W Gate-source voltage: ±25V |
Produkt ist nicht verfügbar |