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Technische Details SI4497DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI4497DY-T1-GE3 nach Preis ab 1.37 EUR bis 6.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SI4497DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8SOVgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9685 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4497DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4497DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4497DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4497DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9685 pF @ 15 V |
auf Bestellung 13516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4497DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 7465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4497DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4497DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9685 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9685 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.39 EUR |
| 5000+ | 1.37 EUR |
| SI4497DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.55 EUR |
| SI4497DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.56 EUR |
| SI4497DY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 2.13 EUR |
| 1000+ | 2.08 EUR |
| SI4497DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9685 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9685 pF @ 15 V
auf Bestellung 13516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.36 EUR |
| 10+ | 3.03 EUR |
| 100+ | 2.08 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
| SI4497DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 7465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.74 EUR |
| 10+ | 3.72 EUR |
| 100+ | 2.57 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
| 1000+ | 2.01 EUR |
| 2500+ | 1.89 EUR |
| SI4497DY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 6.32 EUR |
| 56+ | 4.18 EUR |
| 100+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 2.13 EUR |
| 1000+ | 2.08 EUR |