SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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Technische Details SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SI4532CDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.57 EUR bis 1.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI4532CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.78W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
auf Bestellung 6621 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4532CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR |
auf Bestellung 32790 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4532CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 21972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4532CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 21972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4532CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4532CDY-T1-GE3 Produktcode: 201070 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
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SI4532CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4532CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4532CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4532CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4.9/-3.4A Power dissipation: 1.78W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47/89mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9/12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI4532CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4.9/-3.4A Power dissipation: 1.78W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47/89mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9/12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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