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SI4554DY-T1-GE3

SI4554DY-T1-GE3 Vishay

si4554dy.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4554DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4554DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 Vishay si4554dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4554dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 1098 Stücke:
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10+2.09 EUR
16+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4554dy.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
auf Bestellung 1599 Stücke:
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2+2.26 EUR
10+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.56 EUR
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SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002473613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4554DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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103+2.44 EUR
150+1.55 EUR
224+0.96 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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SI4554DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4554DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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500+0.77 EUR
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