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Technische Details SI4564DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI4564DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.7 EUR bis 2.95 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs SO8 DUAL CHAN 40V |
auf Bestellung 14767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
auf Bestellung 8988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 15242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 15342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 30A; 5,2W; -55°C~150°C; SI4564DY-VB; SI4564DY-T1-GE3 Vishay TSI4564dy Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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SI4564DY-T1-GE3 Produktcode: 49736
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 8/-7.4A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 8/-7.4A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2/2.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V; ±20V On-state resistance: 17.5/21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31/63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 8/-7.4A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 8/-7.4A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2/2.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V; ±20V On-state resistance: 17.5/21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31/63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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