SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.88 EUR |
| 5000+ | 0.82 EUR |
| 7500+ | 0.81 EUR |
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Technische Details SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4564DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.83 EUR bis 2.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A/7.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A/7.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs SO8 DUAL CHAN 40V |
auf Bestellung 16897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
auf Bestellung 8988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 15719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 15719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4564DY-T1-GE3 Produktcode: 49736
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| SI4564DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI4564DY-T1-GE3 Multi channel transistors |
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