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SI4564DY-T1-GE3

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Produktcode: 49736
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Vishay si4564dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Vishay si4564dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Vishay si4564dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.95 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Vishay si4564dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.96 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4564dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.98 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 VISHAY si4564dy.pdf Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.31 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4564dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 6603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 VISHAY si4564dy.pdf Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.75 EUR
75+3.13 EUR
100+2.31 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 Siliconix si4564dy.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 30A; 5,2W; -55°C~150°C; SI4564DY-VB; SI4564DY-T1-GE3 Vishay TSI4564dy
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 si4564dy.pdf
SI4564DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 si4564dy.pdf
SI4564DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4564DY-T1-GE3 si4564dy.pdf
SI4564DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.95 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 si4564dy.pdf
SI4564DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.96 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 si4564dy.pdf
SI4564DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.98 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 si4564dy.pdf
SI4564DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.31 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 si4564dy.pdf
SI4564DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 6603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SI4564DY-T1-GE3 si4564dy.pdf
SI4564DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.75 EUR
75+3.13 EUR
100+2.31 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4564DY-T1-GE3 si4564dy.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 30A; 5,2W; -55°C~150°C; SI4564DY-VB; SI4564DY-T1-GE3 Vishay TSI4564dy
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH