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SI4599DY-T1-GE3

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Produktcode: 85373
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Vishay si4599dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.36 EUR
147+1.17 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY si4599dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.69 EUR
65+1.33 EUR
74+1.15 EUR
103+0.83 EUR
118+0.73 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4599dy.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.78 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.55 EUR
114+2.05 EUR
172+1.25 EUR
500+0.98 EUR
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SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.57 EUR
113+2.07 EUR
170+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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SI4599DY-T1-GE3 si4599dy.pdf
SI4599DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
129+1.36 EUR
147+1.17 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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SI4599DY-T1-GE3 si4599dy.pdf
SI4599DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2259 Stücke:
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51+1.69 EUR
65+1.33 EUR
74+1.15 EUR
103+0.83 EUR
118+0.73 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
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SI4599DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.89 EUR
10+1.78 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.71 EUR
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SI4599DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4599DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.55 EUR
114+2.05 EUR
172+1.25 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4599DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+3.57 EUR
113+2.07 EUR
170+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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