SI4630DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SI4630DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 7.8W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 3.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 161nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SI4630DY-T1-GE3 nach Preis ab 1.53 EUR bis 4.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI4630DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 25V Vds 16V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 1644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4630DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4630DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4630DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 7.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 161nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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