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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.03 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.25 EUR |
| 500+ | 1.9 EUR |
| 1000+ | 1.62 EUR |
| 2500+ | 1.57 EUR |
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Technische Details SI4630DY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 7.8W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 3.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 161nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote SI4630DY-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI4630DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC |
auf Bestellung 11109 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4630DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC |
auf Bestellung 11109 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4630DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4630DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 98000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4630DYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4630DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4630DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4630DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 7.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 161nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4630DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 7.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 161nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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