Technische Details SI4670DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A, Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 30A, Power dissipation: 2.8W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 28mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SI4670DY-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SI4670DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI4670DY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 8A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 2.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI4670DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI4670DY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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