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Technische Details SI4835DDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4835DDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.34 EUR bis 2.13 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A Polarisation: unipolar Drain current: -7.7A Drain-source voltage: -30V Power dissipation: 3.6W Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 65nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -50A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 584 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A Polarisation: unipolar Drain current: -7.7A Drain-source voltage: -30V Power dissipation: 3.6W Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 65nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -50A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
auf Bestellung 584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V |
auf Bestellung 8235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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