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SI4835DDY-T1-GE3

SI4835DDY-T1-GE3 Vishay

si4835ddy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
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303+0.48 EUR
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Technische Details SI4835DDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
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250+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 165
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SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4835ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
101+0.71 EUR
125+0.57 EUR
133+0.54 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4835ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 584 Stücke:
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101+0.71 EUR
125+0.57 EUR
133+0.54 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4835ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
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Anzahl Preis
2+1.74 EUR
10+1.17 EUR
100+1.03 EUR
500+0.84 EUR
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
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13+1.42 EUR
100+1.11 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474640-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2873 Stücke:
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SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474640-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2049984.pdf Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
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