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SI4848ADY-T1-GE3

SI4848ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4848ady.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
7500+0.45 EUR
12500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details SI4848ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI4848ADY-T1-GE3 nach Preis ab 0.3 EUR bis 2.01 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4848ADY-T1-GE3 SI4848ADY-T1-GE3 Vishay si4848ady.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.05 EUR
170+1.02 EUR
253+0.67 EUR
266+0.62 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
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SI4848ADY-T1-GE3 SI4848ADY-T1-GE3 Vishay si4848ady.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.51 EUR
165+1.02 EUR
168+0.98 EUR
170+0.93 EUR
253+0.6 EUR
266+0.55 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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SI4848ADY-T1-GE3 SI4848ADY-T1-GE3 VISHAY 2687467.pdf Description: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
187+1.25 EUR
269+0.8 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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SI4848ADY-T1-GE3 SI4848ADY-T1-GE3 VISHAY 2687467.pdf Description: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4235 Stücke:
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162+1.55 EUR
187+1.25 EUR
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SI4848ADY-T1-GE3 SI4848ADY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4848ady.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 17389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.61 EUR
10+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI4848ADY-T1-GE3 SI4848ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4848ady.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
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11+2.01 EUR
17+1.26 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Trans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
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AnzahlPrivatkunde
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170+0.93 EUR
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
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SI4848ADY-T1-GE3
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Description: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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AnzahlPrivatkunde
162+1.55 EUR
187+1.25 EUR
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.11 EUR
100+0.73 EUR
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1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
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