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Technische Details SI4848ADY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150, Dauer-Drainstrom Id: 5.5, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: ThunderFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4848ADY-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI4848ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 5.5 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: ThunderFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI4848ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 5 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI4848ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4848ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4848ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 5.5A; Idm: 20A; 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 9.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W On-state resistance: 0.133Ω Drain current: 5.5A Drain-source voltage: 150V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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SI4848ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V |
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SI4848ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V |
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| SI4848ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 5.5A; Idm: 20A; 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 9.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W On-state resistance: 0.133Ω Drain current: 5.5A Drain-source voltage: 150V |
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