SI4848BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SI4848BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V.
Weitere Produktangebote SI4848BDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.96 EUR bis 1.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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SI4848BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V |
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SI4848BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SI4848BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4848BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4848BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4848BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V |
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