SI4848BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.45 EUR |
| 5000+ | 0.40 EUR |
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Technische Details SI4848BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4848BDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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SI4848BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V |
auf Bestellung 9803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4848BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-Channel 150-V (D-S) MOSFET SO-8, 89 m a. 10V |
auf Bestellung 4765 Stücke: Lieferzeit 192-196 Tag (e) |
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SI4848BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4848BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4848BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4848BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R |
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