SI4848BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details SI4848BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4848BDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI4848BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-Channel 150-V (D-S) MOSFET SO-8, 89 m a. 10V |
auf Bestellung 3087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4848BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO- FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc) |
auf Bestellung 9803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4848BDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4848BDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4848BDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI4848BDY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Channel 150-V (D-S) MOSFET SO-8, 89 m a. 10V
MOSFETs N-Channel 150-V (D-S) MOSFET SO-8, 89 m a. 10V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.4 EUR |
| 10+ | 1.05 EUR |
| 100+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| 2500+ | 0.5 EUR |
| 5000+ | 0.43 EUR |
| SI4848BDY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.51 EUR |
| 19+ | 1.13 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| SI4848BDY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Series
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 139+ | 1.81 EUR |
| 184+ | 1.26 EUR |
| 243+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| SI4848BDY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 139+ | 1.81 EUR |
| 184+ | 1.26 EUR |
| 243+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| SI4848BDY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R
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