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Si4922BDY-T1-E3

Si4922BDY-T1-E3 Vishay Siliconix


si4922bd.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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Technische Details Si4922BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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Si4922BDY-T1-E3 Si4922BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4922bd.pdf MOSFETs DUAL N-CH 30V(D-S)
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Si4922BDY-T1-E3 Si4922BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4922bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
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SI4922BDY-T1-E3 SI4922BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4922bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4922BDY-T1-E3 SI4922BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4922bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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Si4922BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4922bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 35A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 35A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Si4922BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4922bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 35A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 35A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
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