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SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4925dd.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.63 EUR
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Technische Details SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
141+1.04 EUR
143+0.99 EUR
195+0.70 EUR
250+0.67 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 141
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
94+1.57 EUR
141+1.00 EUR
143+0.95 EUR
195+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 94
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
56+1.29 EUR
68+1.07 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
7500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
56+1.29 EUR
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135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
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Anzahl Preis
2+2.04 EUR
10+1.37 EUR
100+1.01 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.66 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4925dd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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Anzahl Preis
8+2.32 EUR
12+1.47 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4624 Stücke:
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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