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SI4925DDY-T1-GE3

si4925dd.pdf
Produktcode: 140021
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.77 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 125000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.77 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.77 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 125000 Stücke:
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2500+0.77 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4925dd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.84 EUR
7500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.48 EUR
139+1.26 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4925dd.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 37775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+1.46 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.83 EUR
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4925dd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 34637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+1.99 EUR
50+1.49 EUR
100+1.32 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
102+2.3 EUR
139+1.55 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
102+2.3 EUR
139+1.55 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY SI4925DDY-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.77 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 125000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.77 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.77 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 125000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.77 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.84 EUR
7500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
145+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
121+1.48 EUR
139+1.26 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 37775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.08 EUR
10+1.46 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.83 EUR
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SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 34637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.14 EUR
11+1.99 EUR
50+1.49 EUR
100+1.32 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+3.32 EUR
102+2.3 EUR
139+1.55 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.32 EUR
102+2.3 EUR
139+1.55 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH