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SI4925DDY-T1-GE3

si4925dd.pdf
Produktcode: 140021
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4925dd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.8 EUR
5000+0.74 EUR
7500+0.71 EUR
12500+0.68 EUR
17500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.04 EUR
172+1.01 EUR
208+0.82 EUR
250+0.8 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.23 EUR
171+1 EUR
172+0.95 EUR
208+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.34 EUR
151+1.15 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY SI4925DDY-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.98 EUR
63+1.36 EUR
86+1 EUR
100+0.87 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4925dd.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 31398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.86 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.79 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4925dd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 46723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
12+1.88 EUR
100+1.25 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.3 EUR
109+2.14 EUR
165+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
109+2.14 EUR
165+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.8 EUR
5000+0.74 EUR
7500+0.71 EUR
12500+0.68 EUR
17500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
171+1.04 EUR
172+1.01 EUR
208+0.82 EUR
250+0.8 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
144+1.23 EUR
171+1 EUR
172+0.95 EUR
208+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
132+1.34 EUR
151+1.15 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+1.98 EUR
63+1.36 EUR
86+1 EUR
100+0.87 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 31398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.92 EUR
10+1.86 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.79 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 46723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.98 EUR
12+1.88 EUR
100+1.25 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+3.3 EUR
109+2.14 EUR
165+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.3 EUR
109+2.14 EUR
165+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH