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SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3 Vishay

si4925dd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4925DDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4925dd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 2500
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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Mindestbestellmenge: 133
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SI4925DDY-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3910 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
60+1.2 EUR
102+ 0.71 EUR
117+ 0.61 EUR
136+ 0.53 EUR
143+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 60
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SI4925DDY-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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133+ 1.14 EUR
135+ 1.08 EUR
168+ 0.83 EUR
250+ 0.79 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 108
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4925dd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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100+ 1.45 EUR
500+ 1.23 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4925dd.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 51749 Stücke:
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28+ 1.88 EUR
100+ 1.46 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 0.99 EUR
2500+ 0.93 EUR
5000+ 0.9 EUR
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SI4925DDY-T1-GE3
Produktcode: 140021 		si4925dd.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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