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SI4925DDY-T1-GE3

Name: SI4925DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2622316-3
Price: 1650.00 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 140021

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Hersteller:
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SI4925DDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.66 EUR
5000+	0.61 EUR
7500+	0.58 EUR
12500+	0.56 EUR
17500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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SI4925DDY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 848 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	0.85 EUR
172+	0.83 EUR
208+	0.67 EUR
250+	0.65 EUR
500+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 171

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SI4925DDY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 848 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	1.01 EUR
171+	0.82 EUR
172+	0.78 EUR
208+	0.62 EUR
250+	0.59 EUR
500+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 144

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SI4925DDY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 1575 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

132+	1.1 EUR
151+	0.94 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 132

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SI4925DDY-T1-GE3

VISHAY

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1344 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	1.56 EUR
67+	1.08 EUR
91+	0.79 EUR
105+	0.69 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 46

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SI4925DDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

auf Bestellung 31398 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.45 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.74 EUR
2500+	0.66 EUR
5000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SI4925DDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 46253 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.45 EUR
12+	1.54 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SI4925DDY-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 15139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SI4925DDY-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 15139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SI4925DDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
2500+	0.66 EUR
5000+	0.61 EUR
7500+	0.58 EUR
12500+	0.56 EUR
17500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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SI4925DDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 848 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
171+	0.85 EUR
172+	0.83 EUR
208+	0.67 EUR
250+	0.65 EUR
500+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 171

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4925DDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 848 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
144+	1.01 EUR
171+	0.82 EUR
172+	0.78 EUR
208+	0.62 EUR
250+	0.59 EUR
500+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 144

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SI4925DDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 1575 Stücke:

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Anzahl	Preis
132+	1.1 EUR
151+	0.94 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 132

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SI4925DDY-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1344 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
46+	1.56 EUR
67+	1.08 EUR
91+	0.79 EUR
105+	0.69 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 46

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SI4925DDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

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Anzahl	Preis
2+	2.45 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.74 EUR
2500+	0.66 EUR
5000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SI4925DDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 46253 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
8+	2.45 EUR
12+	1.54 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SI4925DDY-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 15139 Stücke:

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SI4925DDY-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 15139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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