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SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors


Si4936BDY.PDF Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30 Volt 6.9 Amp 2.8W
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Technische Details SI4936BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI4936BDY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4936bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4936BDY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix Si4936BDY.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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SI4936BDY-T1-E3
Produktcode: 169655
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SI4936BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY Si4936BDY.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.9A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4936BDY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix Si4936BDY.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
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SI4936BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY Si4936BDY.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.9A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
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