SI4936CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
auf Bestellung 20360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.51 EUR |
| 10+ | 0.94 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 2500+ | 0.36 EUR |
| 5000+ | 0.33 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI4936CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI4936CDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 2348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 9078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 9078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI4936CDY-T1-GE3 Multi channel transistors |
auf Bestellung 2831 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
 |
SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
SI4936CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |