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SI4946CDY-T1-GE3

SI4946CDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix

si4946cdy.pdf
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
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Technische Details SI4946CDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4946CDY-T1-GE3 SI4946CDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 135 Stücke:
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SI4946CDY-T1-GE3 SI4946CDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
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Bauform - Transistor: SOIC
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auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.95 EUR
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SI4946CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
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SI4946CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
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SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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