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SI5419DU-T1-GE3

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Produktcode: 133313
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay si5419du.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
auf Bestellung 2604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
541+0.32 EUR
550+0.31 EUR
559+0.3 EUR
568+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
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SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay si5419du.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
auf Bestellung 2604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
525+0.33 EUR
533+0.31 EUR
541+0.3 EUR
550+0.29 EUR
559+0.26 EUR
568+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 525 Stücke
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SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay si5419du.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
461+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 461 Stücke
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SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5419du.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5419du.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
auf Bestellung 16267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay Semiconductors si5419du.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
auf Bestellung 26486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 4376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
212+1.09 EUR
326+0.65 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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SI5419DU-T1-GE3 si5419du.pdf
SI5419DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
auf Bestellung 2604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
541+0.32 EUR
550+0.31 EUR
559+0.3 EUR
568+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
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SI5419DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
auf Bestellung 2604 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
525+0.33 EUR
533+0.31 EUR
541+0.3 EUR
550+0.29 EUR
559+0.26 EUR
568+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 525 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
461+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 461 Stücke
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SI5419DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
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AnzahlPrivatkunde
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6000+0.38 EUR
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15000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI5419DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
auf Bestellung 16267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
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2+1.71 EUR
10+1.06 EUR
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500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
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SI5419DU-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 4376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+1.89 EUR
212+1.09 EUR
326+0.65 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH