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Technische Details SI5419DU-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI5419DU-T1-GE3 nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.34 EUR
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SI5419DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R |
auf Bestellung 2604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI5419DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R |
auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI5419DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI5419DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET |
auf Bestellung 27098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI5419DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V |
auf Bestellung 15267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI5419DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI5419DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SI5419DU-T1-GE3 Produktcode: 133313
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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SI5419DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R |
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| SI5419DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 31W Case: PowerPAK® ChipFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |