SI5429DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
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Technische Details SI5429DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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SI5429DU-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI5429DU-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
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