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Technische Details SI5441BDC-T1-E3 Vishay
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -6.1A, Pulsed drain current: -20A, Power dissipation: 2.5W, Case: PowerPAK® ChipFET, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 80mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 22nC, Technology: TrenchFET®, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI5441BDC-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| SI5441BDC-T1-E3 |
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SI5441BDC-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
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SI5441BDC-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
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| SI5441BDC-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: PowerPAK® ChipFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET® Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI5441BDC-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
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SI5441BDC-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
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SI5441BDC-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V |
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| SI5441BDC-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: PowerPAK® ChipFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET® |
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