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Si5448DU-T1-GE3

Si5448DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix


si5448du-1766398.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
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Technische Details Si5448DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI5448DU-T1-GE3 SI5448DU-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si5448du.pdf Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SI5448DU-T1-GE3 SI5448DU-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si5448du.pdf Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET
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