
Si5448DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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Anzahl | Preis |
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Technische Details Si5448DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI5448DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SI5448DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 5596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Si5448DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
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Si5448DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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Si5448DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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