SI5457DC-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.45 EUR |
6000+ | 0.42 EUR |
9000+ | 0.39 EUR |
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Technische Details SI5457DC-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.7W, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.
Weitere Produktangebote SI5457DC-T1-GE3 nach Preis ab 0.5 EUR bis 1.33 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SI5457DC-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET |
auf Bestellung 185612 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI5457DC-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
auf Bestellung 28298 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI5457DC-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI5457DC-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
auf Bestellung 78876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI5457DC-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI5457DC-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
auf Bestellung 78876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI5457DC-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SMD T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI5457DC-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 56mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI5457DC-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 56mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD |
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