SI5458DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SI5458DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 6A, On-state resistance: 51mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 10.4W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 9nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 20A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI5458DU-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| SI5458DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 51mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI5458DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
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SI5458DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
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SI5458DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
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| SI5458DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 51mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD |
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