SI5458DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SI5458DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerPAK® ChipFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 9nC, Drain current: 6A, On-state resistance: 51mΩ, Power dissipation: 10.4W, Pulsed drain current: 20A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V.
Weitere Produktangebote SI5458DU-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI5458DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
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SI5458DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
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SI5458DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
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| SI5458DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® ChipFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 9nC Drain current: 6A On-state resistance: 51mΩ Power dissipation: 10.4W Pulsed drain current: 20A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V |
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