SI5468DC-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
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Technische Details SI5468DC-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI5468DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 5.7mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm.
Weitere Produktangebote SI5468DC-T1-GE3 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SI5468DC-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET |
auf Bestellung 65502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI5468DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V |
auf Bestellung 7201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI5468DC-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI5468DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 5.7mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm |
auf Bestellung 4220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SI5468DC-T1-GE3 | VISHAY |
SOT26/SOT363 |
auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI5468DC-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.92 EUR |
| 10+ | 0.57 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.28 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| SI5468DC-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 19+ | 0.93 EUR |
| 31+ | 0.57 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.28 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| SI5468DC-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI5468DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5.7mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
Description: VISHAY - SI5468DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5.7mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 4220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI5468DC-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SOT26/SOT363
SOT26/SOT363
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)