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SI5471DC-T1-GE3

SI5471DC-T1-GE3 Vishay Siliconix


si5471dc.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:

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Technische Details SI5471DC-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: 1206, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si5471dc.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
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SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si5471dc.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
auf Bestellung 12045 Stücke:
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Anzahl Preis
20+0.90 EUR
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SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001110087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001110087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 Hersteller : Vishay si5471dc.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R
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SI5471DC-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si5471dc.pdf SI5471DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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