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SI5476DU-T1-GE3

SI5476DU-T1-GE3 Vishay Siliconix


si5476du.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET
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Technische Details SI5476DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 25A; 31W, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 25A, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 12A, On-state resistance: 41mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 31W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 32nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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SI5476DU-T1-GE3 SI5476DU-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si5476du-1766213.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
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SI5476DU-T1-GE3 SI5476DU-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si5476du.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET
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SI5476DU-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si5476du.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 25A; 31W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI5476DU-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si5476du.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 25A; 31W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
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