SI5504BDC-T1-E3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.02 EUR |
| 10+ | 1.36 EUR |
| 100+ | 1.03 EUR |
| 500+ | 0.85 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| 3000+ | 0.64 EUR |
| 6000+ | 0.63 EUR |
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Technische Details SI5504BDC-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI5504BDC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.053 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.12W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.12W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI5504BDC-T1-E3 nach Preis ab 0.77 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SI5504BDC-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W, 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active |
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SI5504BDC-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5504BDC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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SI5504BDC-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5504BDC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI5504BDC-T1-E3 |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI5504BDC-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI5504BDC-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI5504BDC-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SI5504BDC-T1-E3 Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI5504BDC-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W, 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active |
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