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SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si5515cd.pdf
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
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Technische Details SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI5515CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: 1206, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5515cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
50+1.11 EUR
100+0.99 EUR
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SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 VISHAY si5515cd.pdf Description: VISHAY - SI5515CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
191+1.21 EUR
215+1 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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SI5515CDC-T1-GE3 Vishay si5515cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.33 EUR
162+1.07 EUR
169+0.99 EUR
217+0.74 EUR
250+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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SI5515CDC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
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SI5515CDC-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI5515CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 530 Stücke:
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162+1.07 EUR
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