Produkte > VISHAY SILICONIX > SI5515CDC-T1-GE3
SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix

si5515cd.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.61 EUR
6000+0.56 EUR
9000+0.54 EUR
15000+0.51 EUR
21000+0.5 EUR
30000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI5515CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: 1206, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI5515CDC-T1-GE3 nach Preis ab 0.55 EUR bis 2.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Semiconductors si5515cd.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
auf Bestellung 31767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.6 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5515cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
auf Bestellung 41862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
15+1.49 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001121377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5515CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.45 EUR
151+1.55 EUR
209+1.02 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-GE3 Vishay si5515cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.3 EUR
162+1.05 EUR
169+0.96 EUR
217+0.71 EUR
250+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-GE3 si5515cd.pdf
SI5515CDC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
auf Bestellung 31767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.6 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-GE3 si5515cd.pdf
SI5515CDC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
auf Bestellung 41862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.39 EUR
15+1.49 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-GE3 VISH-S-A0001121377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5515CDC-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI5515CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+2.45 EUR
151+1.55 EUR
209+1.02 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-GE3 si5515cd.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
134+1.3 EUR
162+1.05 EUR
169+0.96 EUR
217+0.71 EUR
250+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH