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Technische Details SI5517DU-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI5517DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SI5517DU-T1-GE3 nach Preis ab 0.74 EUR bis 2.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI5517DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
 MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET |
auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI5517DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 8.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual |
auf Bestellung 1423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI5517DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5517DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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SI5517DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5517DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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SI5517DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI5517DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI5517DU-T1-GE3 Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI5517DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 8.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual |
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