Produkte > VISHAY > SI5517DU-T1-GE3
SI5517DU-T1-GE3

SI5517DU-T1-GE3 VISHAY

VISH-S-A0001144397-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI5517DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI5517DU-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI5517DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote SI5517DU-T1-GE3 nach Preis ab 0.61 EUR bis 3.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI5517DU-T1-GE3 SI5517DU-T1-GE3 Vishay si5517du.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
auf Bestellung 9390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.39 EUR
137+1.26 EUR
183+0.92 EUR
200+0.87 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.62 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5517DU-T1-GE3 SI5517DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix si5517du.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+1.95 EUR
100+1.34 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
3000+0.94 EUR
6000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5517DU-T1-GE3 SI5517DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5517du.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 8.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
auf Bestellung 1423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5517DU-T1-GE3 SI5517DU-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001144397-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5517DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.57 EUR
105+2.21 EUR
146+1.48 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5517DU-T1-GE3 si5517du.pdf
SI5517DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
auf Bestellung 9390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
126+1.39 EUR
137+1.26 EUR
183+0.92 EUR
200+0.87 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.62 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5517DU-T1-GE3 si5517du.pdf
SI5517DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3 EUR
10+1.95 EUR
100+1.34 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
3000+0.94 EUR
6000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5517DU-T1-GE3 si5517du.pdf
SI5517DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 8.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
auf Bestellung 1423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5517DU-T1-GE3 VISH-S-A0001144397-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5517DU-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI5517DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+3.57 EUR
105+2.21 EUR
146+1.48 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH