SI5517DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SI5517DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI5517DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SI5517DU-T1-GE3 nach Preis ab 0.86 EUR bis 1.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI5517DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 8.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual |
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SI5517DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5517DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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SI5517DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5517DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI5517DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R |
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| SI5517DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 6/-6A; 8.3W Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 6/-6A On-state resistance: 131/55mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 8.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 14/16nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI5517DU-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 8.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual |
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| SI5517DU-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 6/-6A; 8.3W Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 6/-6A On-state resistance: 131/55mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 8.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 14/16nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD |
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