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SI5618-TP

SI5618-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS

SI5618(SOT-23)-V1.pdf Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.2A; Idm: -7.6A; 830mW
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -7.6A
Drain current: -1.2A
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
315+0.23 EUR
350+ 0.21 EUR
395+ 0.18 EUR
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Technische Details SI5618-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.2A; Idm: -7.6A; 830mW, Mounting: SMD, On-state resistance: 0.2Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Drain-source voltage: -60V, Power dissipation: 0.83W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 9.5nC, Case: SOT23, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -7.6A, Drain current: -1.2A, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.

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SI5618-TP SI5618-TP Hersteller : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI5618(SOT-23)-V1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.2A; Idm: -7.6A; 830mW
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -7.6A
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