SI5618-TP Micro Commercial Co
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details SI5618-TP Micro Commercial Co
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI5618-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SI5618-TP nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SI5618-TP | Micro Commercial Co |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 830mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 7542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI5618-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) |
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI5618-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SI5618-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) |
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI5618-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI5618-TP |
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Hersteller: Micro Commercial Co
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 0.71 EUR |
| 38+ | 0.56 EUR |
| 100+ | 0.33 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| SI5618-TP |
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Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI5618-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI5618-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| SI5618-TP |
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Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI5618-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI5618-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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