Produkte > VISHAY > SI5902BDC-T1-GE3
SI5902BDC-T1-GE3

SI5902BDC-T1-GE3 Vishay

si5902bd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
98+1.53 EUR
99+1.46 EUR
126+1.11 EUR
250+1.06 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI5902BDC-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.12W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™.

Weitere Produktangebote SI5902BDC-T1-GE3 nach Preis ab 0.57 EUR bis 3.13 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI5902BDC-T1-GE3 SI5902BDC-T1-GE3 Hersteller : Vishay si5902bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
81+1.86 EUR
99+1.46 EUR
100+1.39 EUR
130+1.03 EUR
250+0.98 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3 SI5902BDC-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si5902bd.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
auf Bestellung 21605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.06 EUR
10+1.69 EUR
100+1.29 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3 SI5902BDC-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si5902bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
auf Bestellung 3482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.13 EUR
10+1.99 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3 SI5902BDC-T1-GE3 Hersteller : Vishay si5902bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3 SI5902BDC-T1-GE3 Hersteller : Vishay si5902bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si5902bd.pdf SI5902BDC-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3 SI5902BDC-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si5902bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH