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SI5935CDC-T1-E3

SI5935CDC-T1-E3 Vishay Semiconductors


si5935cdc.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
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Technische Details SI5935CDC-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Part Status: Active.

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SI5935CDC-T1-E3 SI5935CDC-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si5935cdc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
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SI5935CDC-T1-E3 SI5935CDC-T1-E3 Hersteller : Vishay / Siliconix si5935cd-240958.pdf MOSFET -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
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