SI6415DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.3 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI6415DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI6415DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.22 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SI6415DQ-T1-GE3 nach Preis ab 1.31 EUR bis 2.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI6415DQ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V 6.5A 1.5W 19mohm @ 10V |
auf Bestellung 7633 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI6415DQ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-TSSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V |
auf Bestellung 5069 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI6415DQ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI6415DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.22 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 4456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI6415DQ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI6415DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.22 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 4456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI6415DQ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| SI6415DQ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |