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SI6415DQ-T1-GE3

SI6415DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix


si6415dq.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:

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Technische Details SI6415DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI6415DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.22 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI6415DQ-T1-GE3 SI6415DQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si6415dq.pdf MOSFET 30V 6.5A 1.5W 19mohm @ 10V
auf Bestellung 7633 Stücke:
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2+2.57 EUR
10+2.18 EUR
100+1.80 EUR
250+1.74 EUR
500+1.53 EUR
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3000+1.31 EUR
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SI6415DQ-T1-GE3 SI6415DQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si6415dq.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
auf Bestellung 5069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.89 EUR
10+2.39 EUR
100+1.90 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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SI6415DQ-T1-GE3 SI6415DQ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISHS81954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI6415DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.22 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI6415DQ-T1-GE3 SI6415DQ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISHS81954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI6415DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.22 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4456 Stücke:
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SI6415DQ-T1-GE3 SI6415DQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay 70639.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI6415DQ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si6415dq.pdf SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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