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SI6423DQ-T1-GE3

SI6423DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

72257.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
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Technische Details SI6423DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI6423DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8.2 A, 8500 µohm, TSSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 1.05W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm.

Weitere Produktangebote SI6423DQ-T1-GE3 nach Preis ab 1.13 EUR bis 7.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 Vishay Semiconductors 72257.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
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100+1.98 EUR
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SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72257.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
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4+5.26 EUR
10+3.39 EUR
50+2.58 EUR
100+2.32 EUR
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SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 VISHAY VISHS82174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI6423DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8.2 A, 8500 µohm, TSSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.05W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.07 EUR
63+3.69 EUR
100+2.65 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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SI6423DQ-T1-GE3 Vishay 72257.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
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61+2.93 EUR
74+2.32 EUR
75+2.21 EUR
100+1.71 EUR
250+1.51 EUR
500+1.31 EUR
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Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
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SI6423DQ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI6423DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8.2 A, 8500 µohm, TSSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.05W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 1998 Stücke:
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