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SI6562CDQ-T1-GE3

SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix


si6562cd.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
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Technische Details SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay si6562cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay si6562cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay si6562cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
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143+1.04 EUR
145+0.99 EUR
146+0.94 EUR
148+0.90 EUR
250+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si6562cd.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
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2+1.76 EUR
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SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si6562cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 15021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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7+2.52 EUR
12+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISHS99348-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay si6562cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.7A/5.1A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay si6562cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si6562cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.2/-4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1/1.1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22/30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si6562cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.2/-4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1/1.1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22/30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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