Technische Details SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SI6562CDQ-T1-GE3 nach Preis ab 0.99 EUR bis 4.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP |
auf Bestellung 52069 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR |
auf Bestellung 7357 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI6562CDQ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI6562CDQ-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.11 EUR |
| SI6562CDQ-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 145+ | 1.19 EUR |
| 146+ | 1.17 EUR |
| 148+ | 1.13 EUR |
| 250+ | 1.09 EUR |
| SI6562CDQ-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 143+ | 1.2 EUR |
| 145+ | 1.15 EUR |
| 146+ | 1.09 EUR |
| 148+ | 1.05 EUR |
| 250+ | 0.99 EUR |
| SI6562CDQ-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
auf Bestellung 52069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.98 EUR |
| 12+ | 1.88 EUR |
| 50+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| SI6562CDQ-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
auf Bestellung 7357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3 EUR |
| 10+ | 1.89 EUR |
| 100+ | 1.26 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| SI6562CDQ-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 60+ | 4.22 EUR |
| 91+ | 2.55 EUR |
| 119+ | 1.81 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
| 1000+ | 1.42 EUR |