Produkte > VISHAY SILICONIX > SI6913DQ-T1-GE3

SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI6913DQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2441711-3
Price: 2610.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
3000+	1.04 EUR
6000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI6913DQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 830mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 830mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI6913DQ-T1-GE3 nach Preis ab 0.88 EUR bis 4.8 EUR

Foto

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Privatkunde

SI6913DQ-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI6913DQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2314 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.51 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6913DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

auf Bestellung 15688 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.77 EUR
10+	2.4 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6913DQ-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0001202009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI6913DQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2279 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	4.43 EUR
85+	2.76 EUR
100+	2.42 EUR
500+	2.27 EUR
1000+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6913DQ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8

auf Bestellung 6564 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.8 EUR
10+	3.03 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.49 EUR
3000+	1.27 EUR
6000+	1.21 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6913DQ-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6913DQ-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R

auf Bestellung 576 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

86+	2.03 EUR
102+	1.65 EUR
103+	1.57 EUR
132+	1.18 EUR
250+	1.12 EUR
500+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 86 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6913DQ-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI6913DQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2314 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
100+	2.51 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6913DQ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

auf Bestellung 15688 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
6+	3.77 EUR
10+	2.4 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6913DQ-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI6913DQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2279 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
57+	4.43 EUR
85+	2.76 EUR
100+	2.42 EUR
500+	2.27 EUR
1000+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6913DQ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8

auf Bestellung 6564 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
1+	4.8 EUR
10+	3.03 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.49 EUR
3000+	1.27 EUR
6000+	1.21 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6913DQ-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
3000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6913DQ-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R

auf Bestellung 576 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
86+	2.03 EUR
102+	1.65 EUR
103+	1.57 EUR
132+	1.18 EUR
250+	1.12 EUR
500+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 86 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH