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SI6913DQ-T1-GE3

SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix


si6913dq.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 12000 Stücke:

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Technische Details SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI6913DQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 830mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 830mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI6913DQ-T1-GE3 SI6913DQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si6913dq.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
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SI6913DQ-T1-GE3 SI6913DQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si6913dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 15688 Stücke:
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Anzahl Preis
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10+2.02 EUR
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SI6913DQ-T1-GE3 SI6913DQ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si6913dq.pdf Description: VISHAY - SI6913DQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI6913DQ-T1-GE3 SI6913DQ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si6913dq.pdf Description: VISHAY - SI6913DQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2314 Stücke:
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SI6913DQ-T1-GE3 SI6913DQ-T1-GE3 Hersteller : Vishay si6913dq.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6913DQ-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si6913dq.pdf SI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors
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