Si6954ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 830mW
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.69 EUR |
| 6000+ | 0.64 EUR |
| 9000+ | 0.62 EUR |
| 15000+ | 0.61 EUR |
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Technische Details Si6954ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI6954ADQ-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.044 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 830mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 830mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote Si6954ADQ-T1-E3 nach Preis ab 0.8 EUR bis 3.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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Si6954ADQ-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOPVgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 830mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-TSSOP |
auf Bestellung 21145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI6954ADQ-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI6954ADQ-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.044 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 830mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 830mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Si6954ADQ-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8 |
auf Bestellung 3504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| Si6954ADQ-T1-E3 | VISHAY |
07+ SO-8 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Si6954ADQ-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 21145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.68 EUR |
| 13+ | 1.69 EUR |
| 100+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| SI6954ADQ-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI6954ADQ-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI6954ADQ-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 85+ | 2.95 EUR |
| 128+ | 1.82 EUR |
| 188+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| Si6954ADQ-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8
auf Bestellung 3504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.12 EUR |
| 10+ | 1.98 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
| 500+ | 1.02 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 3000+ | 0.88 EUR |
| 6000+ | 0.86 EUR |
| Si6954ADQ-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
07+ SO-8
07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)



