auf Bestellung 5240 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 11+ | 4.89 EUR |
| 13+ | 4.06 EUR |
| 100+ | 3.25 EUR |
| 250+ | 2.96 EUR |
| 500+ | 2.7 EUR |
| 1000+ | 2.34 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI7110DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 21.1A, On-state resistance: 7.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 21nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 60A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7110DN-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7110DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 20V 21.1A 0.0053Ohm |
auf Bestellung 2021 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
| SI7110DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
|
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| SI7110DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 20018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| SI7110DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 21.1A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
SI7110DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
SI7110DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| SI7110DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 21.1A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A |
Produkt ist nicht verfügbar |