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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.85 EUR |
| 10+ | 2.73 EUR |
| 100+ | 2.06 EUR |
| 250+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| 1000+ | 1.62 EUR |
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Technische Details SI7110DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Gate charge: 21nC, On-state resistance: 7.8mΩ, Power dissipation: 3.8W, Drain current: 21.1A, Pulsed drain current: 60A, Drain-source voltage: 20V, Gate-source voltage: ±20V, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7110DN-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI7110DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 20V 21.1A 0.0053Ohm |
auf Bestellung 2021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7110DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7110DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 20018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7110DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Gate charge: 21nC On-state resistance: 7.8mΩ Power dissipation: 3.8W Drain current: 21.1A Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7110DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7110DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7110DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Gate charge: 21nC On-state resistance: 7.8mΩ Power dissipation: 3.8W Drain current: 21.1A Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
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