Si7111EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details Si7111EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7111EDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0072 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote Si7111EDN-T1-GE3 nach Preis ab 0.40 EUR bis 1.00 EUR
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Si7111EDN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V |
auf Bestellung 11331 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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Si7111EDN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 31331 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7111EDN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7111EDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0072 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SI7111EDN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7111EDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0072 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7111EDN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| Si7111EDN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -150A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -60A Pulsed drain current: -150A Power dissipation: 52W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 85nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| Si7111EDN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -150A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -60A Pulsed drain current: -150A Power dissipation: 52W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 85nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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